氧等离子扫底胶去残胶

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我们在一般光刻过程中不难发现（下图1所示），整个光刻过程中都是围绕着光刻胶来进行的，但是光刻胶本身在微纳米加工过程中只是媒介而已，在往往在图形转移后我们都是需要将光刻胶去除的，不同的图形转移工艺对应的光刻胶特性也是不同的，去胶的工艺也会有很大的不同，例如，金属剥离工艺中（lift-off）我们通常会选择湿法去胶工艺，但是在干法刻蚀、离子注入、电铸工艺后我们往往会选择干法去胶或者湿法与干法结合来完成去胶。

图1 去胶步骤与一般光刻工艺过程

除一些特殊的工艺中的光刻胶保留在结构中外，其他的工艺过程之后需要去除光刻胶，湿法去胶操作简单便捷，几乎没有设备要求，在实验室更受欢迎，而在图形转移工艺之后，光刻胶不可避免的会受到温度、离子注入等因素的影响导致光刻胶变得更加稳定或者光刻胶变性导致无法使用湿法完成去胶。因此氧等离子去胶是微纳加工中必要的基础设备之一。

等离子打底胶工艺

打底胶工艺是指利用氧等离子体去除光刻显影后结构底部残留的一层薄薄的底胶，这层底胶往往非常薄，但是尽管他非常薄但是也会导致后续蒸发的金属与衬底之间无法形成欧姆接触，甚至形成很大的接触电阻，导致器件性能不佳。因此，为了提高器件的性能，必须减少接触电极处的残胶问题，通常的解决思路是使用氧等离子体（Oxygenplasma）去胶的方法处理残胶，如下图2所示：

图2 剥离工艺一般过程示意图

氧等离子扫底胶原理

因为光刻胶通常都是有机物，氧等离子体是氧气在真空环境下被电离后形成的，其可以将表面残余的光刻胶氧化为二氧化碳、水以及其他可挥发性气体等，具有操作简单、去胶效果好等优点，如图3所示：

图3 氧等离子体去除残胶示意图

打底胶所需要去除的光刻胶层非常薄，所以不需要很长的时间即可完成。等离子去胶是一种处理残胶比较常见且有效的方式，很多半导体器件在处理残胶时都会使用到氧等离子体打底胶。

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