干法式等离子去胶原理

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等离子去胶工艺是半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤。等离子去胶不仅操作简单、去胶效率高、表面干净光洁而且无划痕、成本低、环保。

等离子去胶原理

干法式去胶又被称为等离子去胶，其原理同等离子清洗类似，主要通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶，由于光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除，在反应气体中加入氮气或者氢气可以提高去胶性能、加强对残留物的去除。

等离子产生的原理是：给充入足够的氧气或者氩气并且稳定的真空条件下的腔体的电极施加射频，使得气体产生活性等离子体，以此，在物理、化学双重作用下对清洗的部件如砷化镓、氮化镓等进行表面的轰击，将表面要去掉的物质变成了离子或者气体，经过了抽真空排出，而达到清洗目的。

物理等离子去胶过程：主要是物理作用对清洗物件进行轰击达到去胶的目的，主要的气体为氧气、氩气等，通过射频产生氩离子，轰击清洗物件，以获得表面光滑的最大化，并且结果是亲水性增大。

化学等离子清洗过程:清洗物的表面主要是以化学反应的形式表现作为主要的清洗目的，主要通过氧气，即在真空反应室中通过射频或微波能量使氧气电离成等离子体，该等离子体中包含离子、原子、分子及电子与有机物发生化学反应，形成CO2和H2O，然后经真空泵将其抽走，达到清洗目的。此外，样品表面可以通过氧等离子体进行活化，增加表面氧键，为表面提供自由价电子与液体分子结合，从而进行表面改性。

有机物 + O2 →CO2 + H2O

传统主流去胶方法采用湿法去胶，成本低效率高，但随着技术不断迭代更新，越来越多IC制造商开始采用干法式去胶，等离子去胶工艺不同于传统的湿法式去胶工艺，它不需要浸泡化学溶剂，也不用烘干，去胶过程更容易控制，避免过多算上基底，提高产品成品率。

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